BTS3410G是集智能SIPMOS技術(shù)制造而成的N溝道垂直功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET，低壓側(cè)、2路輸出、輸入電壓10V、電流極限7.5A、封裝類型SOIC-8，來(lái)自國(guó)際品牌英飛凌（Infineon）。關(guān)于BTS3410G這個(gè)料，每天都有許多新老客戶向東沃電子DOWO詢價(jià)、現(xiàn)貨、交期等方面的問(wèn)題。東沃電子自創(chuàng)辦以來(lái)，秉承“一切以客戶為中心”的經(jīng)營(yíng)理念，用心服務(wù)好每一位客戶，滿足客戶的不同需求。為此，為客戶配套成為了東沃電子的日常。由于渠道優(yōu)勢(shì)，東沃電子能夠第一時(shí)間調(diào)到貨、交期迅速、原裝正品、價(jià)格美麗、現(xiàn)貨庫(kù)存，竭誠(chéng)歡迎廣大客戶前來(lái)詢BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

接下來(lái)重點(diǎn)詳述BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的特性、參數(shù)、應(yīng)用，帶您走進(jìn)BTS3410G的“世界”！

BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)管特性

邏輯電平輸入
自動(dòng)重啟熱開(kāi)關(guān)
符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)
過(guò)載、短路、過(guò)電壓、ESD保護(hù)
電流限制
模擬驅(qū)動(dòng)

BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

Drain source voltage漏源電壓：42V
on-state resistance導(dǎo)通狀態(tài)電阻：200mΩ 
Nominal load current額定負(fù)載電流：1.3A
Clamping energy鉗位能量：150mJ
Automobile quality standard汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：AEC-Q100
Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用

適用于開(kāi)關(guān)或線性應(yīng)用中的各種阻性、感性和容性負(fù)載；
μC兼容電源開(kāi)關(guān)，適用于12V DC應(yīng)用；
取代機(jī)電繼電器和分立電路

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